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在(zai)高技術領域得(dé)到廣泛的應用(yòng)
(2)粒子遮擋膜(mo):随着集成電路(lù)密度和芯片尺(chi)寸的不斷增大(da),其抗輻射的性(xìng)能也更顯重要(yào)。高純度的聚酰(xiān)亞胺塗層膜是(shì)一種有效的耐(nài)輻射和抗粒子(zǐ)的遮擋材料。在(zai)元器件外殼的(de)鈍化膜上塗覆(fù)50一100單位的射線(xian)遮擋層可防止(zhǐ)由微量鈾和牡(mǔ)等釋放的射線(xiàn)而造成的存儲(chǔ)器錯誤。當然,聚(ju)酰亞胺塗覆樹(shu)脂中含鈾物質(zhì)的含量也要很(hěn)低,用于256kDRAM的樹脂(zhi)要求鈾的含量(liàng)低于0.1pph。另外,聚酰(xian)亞胺優良的機(jī)械性可防止芯(xin)片在後續的封(fēng)裝過程中破裂(lie)。
(3)微電子器件的(de)鈍化層和緩沖(chòng)内塗層:聚酰亞(yà)胺薄膜作爲鈍(dùn)化層和緩沖保(bǎo)護層在微電子(zǐ)工業上應用非(fēi)常廣泛。PI塗層可(kě)有效地阻滞電(dian)子遷移、防止腐(fǔ)蝕。PI層保護的元(yuan)器件具有很低(di)的漏電流,可增(zēng)加器件的機械(xiè)性能,防止化學(xué)腐蝕,也可有效(xiao)地增加元器件(jiàn)的抗潮濕能力(lì)。PI薄膜具有緩沖(chòng)功能,可有效地(di)降低由于熱應(ying)力引起的電路(lu)崩裂斷路,減少(shǎo)元器件在後續(xù)的加工、封裝和(hé)後處理過程中(zhong)的損傷。雖然聚(jù)酰亞胺塗層可(ke)有效避免塑封(fēng)器件的崩裂,但(dàn)效果與使用的(de)聚酰亞胺薄膜(mo)的性能密切相(xiàng)關。一般地,具有(yǒu)良好粘接性能(néng),玻璃化轉變溫(wen)度高于焊接溫(wēn)度,低吸水率的(de)聚酰亞胺是理(li)想的防止器件(jian)崩裂的内塗材(cai)料。
(4)多層金屬互(hù)聯電路的層間(jian)介電材料:聚酰(xian)亞胺薄膜可作(zuo)爲多層布線技(jì)術中多層金屬(shǔ)互聯結構的層(céng)間介電材料。多(duō)層布線技術是(shi)研制生産具有(you)三維立體交叉(chā)結構超大規模(mó)高密度高速度(du)集成電路的關(guān)鍵技術。在芯片(pian)上采用多層金(jin)屬互聯可以顯(xian)著縮小器件間(jian)的連線密度,減(jian)少RC時間常數和(hé)芯片占用面積(jī),大幅度提高集(ji)成電路的速度(du)、集成度和可靠(kao)性。多層金屬互(hù)聯工藝與目前(qián)常用的鋁基金(jīn)屬互聯和氧化(hua)物介質絕緣工(gong)藝不同,它主要(yao)采用高性能聚(ju)酰亞胺薄膜材(cai)料爲介電絕緣(yuan)層,銅或鋁爲互(hu)聯導線,利用銅(tóng)的化學機械抛(pao)光。該技術的主(zhǔ)要優點在于利(lì)用了銅的高電(diàn)導和抗電遷移(yi)性能、聚酰亞胺(àn)材料的低介電(dian)常數、平坦化性(xìng)能以及良好的(de)可制圖性能。